Interface |
PCI-Express x4 |
---|---|
Vitesse de lecture |
3500 |
Vitesse d´écriture |
3000 |
Lecture séquentielle IOPS 4 KB |
500000 |
Écriture séquentielle IOPS 4 KB |
480000 |
Champ d’application SSD |
Consumer |
Interface du disque dur |
NVMe |
Mémoire flasch NAND |
Samsung V-NAND 3-bit MLC |
Taille du SSD |
2.38 mm |
Facteur de forme du SSD |
M.2 2280 |
Interfaces standard |
NVMe |
Contrôleur mémoire |
Samsung Pablo Controller |
Mémoire interne |
1000 |
Cryptage matériel |
256-Bit-AES |
1 TB SSD de Samsung en facteur de forme M.2 2280
Capacité de mémoire totale: 1000 GB, Interface stockage de données: PCI-Express x4, Taille du SSD: 2.38 mm, Facteur de forme du SSD: M.2 2280, Champ d’application SSD: Consumer
– SSD M.2 2280, 1000 GB, PCI-Express x4 NVMe
– Hauteur totale: 2.38 mm
– Cryptage du stockage des données: 256-Bit-AES
– Mémoire flasch NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC
– Vitesse de lecture: 3500 MB/s, Vitesse d’écriture: 3000 MB/s
– Contrôleur mémoire: Samsung Pablo Controller
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